후면전력공급 BSPDN 관련주 이슈 원인
삼성전자가 2027년까지 후면전력공급(BSPDN) 기술을 적용한 2나노 공정을 완료하겠다는 발표를 하면서 관련 주식들이 주목받고 있습니다. 반도체 미세 공정에서 전력 공급 효율을 획기적으로 개선하는 이 기술은 시장의 관심을 크게 끌고 있습니다. 특히 후면전력공급 기술은 기존의 전력선과 신호선 간 병목 현상을 해결하고, 전력 효율과 성능을 크게 향상시키는 혁신적인 방법으로 평가받고 있습니다. 삼성전자는 이 기술을 AI 반도체 시장에 적용하기 위해 전략을 강화하고 있으며, 이러한 노력은 관련 반도체 주식에 큰 영향을 미치고 있습니다.
2024년 6월, 삼성전자는 ‘삼성 파운드리 포럼 2024’에서 AI 시대를 주도할 반도체 기술 전략을 공개했습니다. 특히 파운드리, 메모리, 어드밴스드 패키징을 통합한 원스톱 턴키 서비스를 통해 AI 칩 생산을 가속화할 계획을 밝히며, BSPDN 기술의 수혜주들에 대한 기대감이 더욱 커졌습니다. 이 발표로 인해 BSPDN 관련주들이 더욱 주목받고 있으며, 기술 발전과 함께 이들 기업들은 더욱 큰 수혜를 받을 것으로 보입니다.
후면전력공급 BSPDN 관련주 이슈 히스토리
- 2024.06.13: 삼성전자가 2027년까지 후면전력공급(BSPDN) 기술을 2나노 공정에 도입할 계획을 발표했습니다. 이 기술은 향후 AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장에서 핵심 기술로 자리 잡을 가능성이 큽니다. 주도주로는 케이씨텍이 가장 주목받고 있습니다.
- 2024.02.28: 삼성전자가 후면전력공급 기술 개발에서 목표를 상회하는 성과를 달성하면서 관련 주식이 상승세를 보였습니다. 이로 인해 BSPDN 관련 기술에 대한 기대감이 더욱 커졌으며, 케이씨텍이 수혜주로 부상했습니다.
후면전력공급 BSPDN (Back-Side Power Delivery Network)이란?
BSPDN은 반도체 웨이퍼 후면에 전류 배선층을 배치하여, 전력선과 신호선의 병목 현상을 해결하는 첨단 기술입니다. 기존의 FSPDN(Front-Side Power Delivery Network)은 전면에 전력선과 신호선이 복잡하게 얽혀 공간적 제약이 많았고, 이로 인해 회로 간섭과 전력 손실 문제가 발생했습니다. BSPDN은 이러한 문제를 해결해 전력 효율을 크게 향상시키고, 고성능과 저전력 반도체를 구현하는 데 중요한 역할을 합니다.
BSPDN은 전력선을 후면으로 이동시켜 웨이퍼 전면에 더 많은 공간을 확보하여 로직과 같은 주요 기능을 배치하는 방식입니다. 이를 통해 웨이퍼의 성능은 물론 크기도 줄일 수 있어 반도체 미세 공정의 난도를 낮추는 데 기여합니다. 예를 들어, 아파트 단지에서 차량 도로를 지하로 내려 보행자와 차량이 간섭 없이 이동하는 것과 비슷한 원리로, 전력선과 신호선 간 간섭을 최소화하여 전송 효율을 높입니다.
현재까지 상용화된 BSPDN 기술은 없지만, 향후 AI 반도체와 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에서 핵심 기술로 자리 잡을 전망입니다. 전력선을 후면으로 이동시키면, 웨이퍼의 미세 공정에서 발생하는 회로 간섭 문제를 해결할 수 있으며, 전력과 데이터 전송의 효율성을 대폭 향상시킬 수 있습니다.
후면전력공급 BSPDN 관련주 업종 동향 및 특징
기존의 2나노 공정 대비 BSPDN 기술을 적용하면 성능이 향상되고 제품의 크기도 줄일 수 있는 장점이 있습니다. 삼성전자는 이 기술을 기반으로 AI 및 데이터센터 고객에게 최적화된 반도체 솔루션을 제공할 계획입니다. 특히 전력 소모가 많은 대규모 데이터센터에서는 BSPDN 기술이 크게 기여할 수 있으며, 전력 효율을 극대화할 수 있습니다.
향후 1.4나노 공정에도 BSPDN 기술이 적용될 가능성이 큽니다. 이를 통해 시장 점유율을 확대하고, 고성능 반도체의 안정성을 높이는 전략을 펼칠 것입니다. TSMC는 2026년부터 1.6나노 공정에 BSPDN 기술을 적용할 예정이며, 인텔 역시 2024년부터 양산될 2나노 공정에 후면전력공급 기술을 도입할 계획입니다. 이로 인해 반도체 미세 공정 시장은 더욱 치열한 경쟁 구도를 보일 전망입니다.
시장 조사 기관 옴디아에 따르면, 2023년부터 2026년까지 전체 파운드리 시장의 연평균 성장률은 12.9%를 기록할 것으로 보입니다. 특히 3나노 이하의 미세 공정 시장은 연평균 65.3%로 급성장할 것으로 예측되며, BSPDN 기술을 통해 이러한 성장에 동참하는 반도체 관련 기업들이 혜택을 볼 것으로 예상됩니다. BSPDN 기술이 발전함에 따라 어드밴스드 패키징(AVP), TSV, 본딩, CMP 등의 기술 또한 함께 중요성을 더해갈 것입니다.
주요 기업들의 BSPDN 전략
인텔: Power Via (파워비아)
인텔은 2024년에 출시될 20A 제품부터 자체 후면 전력 공급 방식인 ‘파워비아’ 기술을 도입할 예정입니다. 이 기술은 기존의 전력 공급 방식을 대체하며, 전력선을 칩의 후면에 배치하고 신호선과 트랜지스터층을 위에 쌓아 올리는 혁신적인 구조입니다. 이를 통해 인텔은 미세 공정에서의 전력 효율을 극대화하고, 성능을 향상시킬 계획입니다. 또한, 파워비아 기술은 차세대 공정에 적용되어 경쟁력을 높이는 핵심 역할을 할 것입니다.
삼성전자: 후면전력공급 기술
삼성전자는 후면전력공급 기술을 적용하여 2027년까지 2나노 이하 공정에서 상용화를 목표로 하고 있습니다. 이 기술을 바탕으로 AI 반도체와 데이터센터 고객들에게 최적화된 솔루션을 제공할 예정이며, 특히 전력 소모가 많은 고성능 컴퓨팅(HPC)에서 강점을 발휘할 것입니다. 삼성전자는 BSPDN 기술을 통해 차세대 반도체 시장에서 점유율을 확대하려는 전략을 세우고 있습니다.
TSMC: 1.6나노 공정 도입
TSMC는 2026년부터 양산할 예정인 1.6나노 공정에 BSPDN 기술을 적용할 계획입니다. TSMC는 후면전력공급 기술을 적극적으로 도입해 고성능 반도체 시장에서 경쟁력을 유지하려는 전략을 구사하고 있습니다. 이를 통해 시장 점유율을 확보하고, 차세대 반도체 기술 경쟁에서 앞서나가려는 노력을 기울이고 있습니다.
후면전력공급 BSPDN 관련주, 테마주, 대장주
케이씨텍 (대장주)
케이씨텍은 반도체 및 디스플레이 장비와 소재를 제조하는 회사로, 후면전력공급 기술 구현에 필수적인 CMP(화학적 기계 연마) 장비를 국내에서 유일하게 생산하고 있습니다. 케이씨텍은 특히 인텔과 TSMC에 백사이드 비아(BSV) 장비를 공급하고 있으며, 이로 인해 후면전력공급 관련 대장주로 주목받고 있습니다.
와이씨켐 (수혜주)
와이씨켐은 반도체 공정 재료를 제조하는 회사로, 삼성전자와 TSMC에 백사이드 코팅(BSC) 장비를 공급하며 후면전력공급 기술 발전에 따라 큰 수혜를 입을 것으로 보입니다. 2023년 영창케미컬에서 사명을 변경하며 더욱 공격적인 성장을 계획하고 있습니다.
에프엔에스테크 (테마주)
에프엔에스테크는 반도체 및 평판 디스플레이 관련 장비를 제조하는 회사로, CMP 패드를 포함한 다양한 제품을 생산하고 있습니다. 삼성과의 협력을 통해 기술력을 강화하고 있으며, 후면전력공급 기술의 발전에 따라 주목받는 테마주로 부상하고 있습니다.
동진쎄미켐 (관련주)
동진쎄미켐은 반도체 재료를 제조하는 회사로, CMP 슬러지를 생산하고 있으며, 후면전력공급 기술 구현에 중요한 역할을 하고 있습니다. 차세대 반도체 기술의 발전에 따라 수혜를 입을 가능성이 큽니다.
솔브레인 (대장주)
솔브레인은 반도체 공정용 화학 재료를 제조하는 회사로, 후면전력공급 기술의 발전에 따라 CMP 슬러지 등 관련 제품을 통해 시장에서 강력한 수혜주로 평가받고 있습니다. 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 반도체 제조사에 공급하고 있어 더욱 주목받고 있습니다.